Micron 128 Gb 多层单元（MLC）NAND 闪存设备专门为消费类固态硬盘、移动存储（U 盘和闪存卡）、平板电脑、超薄设备、移动手机和数据中心云存储而产生。...

报道称，美光解散DRAM设计团队很有可能是出于防止技术外泄的考虑，并将产品的设计和研发收拢至大陆以外的地区。加上美光十分重视知识产权保护，因此有可能超前部署。...

在普通、混合、随机工作负载下，7450 SSD 通过 2 毫秒或更低的延迟，实现高达 99.9999% 的QoS 1，从而提升多种数据库的性能...

美光 2021 年 A5 厂建设计划主要彰显了美光对 DRAM 未来发展的乐观看法，也提高了美光在台湾地区 DRAM 生产基地的重要战略地位。...

美光 176 层三层单元 (TLC) 3D NAND 已在美光新加坡晶圆制造工厂量产并向客户交付，包括通过其英睿达 (Crucial) 消费级 SSD 产品线。美光将在 2021 日历年推出基于该技术的更多新产品。...

摩托罗拉 edge+ 搭载了业界领先的美光 12GB LPDDR5 DRAM 内存，为用户带来流畅、无延迟的体验。...

美光该芯片将带来更低的功耗和更快的数据读取速度，以满足消费者对于智能手机中人工智能(AI)和 5G 功能日益增长的需求。...

美光 LPDDR4X 基于 UFS 多芯片封装 (uMCP4)，满足了移动设备制造商对于低功耗以延长电池寿命，以及更小尺寸、纤薄设计、有吸引力的设备外形的需求。...

Micron美光半导体 DDR2 SDRAM特点： 支持大型内存子系统 低电压、节能选项 扩展的运行温度范围

Micron美光半导体 DDR3 SDRAM特点： 支持大型内存子系统 增加能源利用率 高性能 增加带宽

Micron美光半导体 RLDRAM内存特点： 高性能 超低的总线周转时间支持更高的可持续带宽 数据包缓冲和检查的理想选择 扩展的运行温度范围

Micron美光半导体 移动LPDRAM特点： 低待机电流和低自刷新可以延长电池使用时间,温度补偿自刷新（TCSR）和部分阵列自刷新（PASR）模式

Micron美光半导体的DRAM针对各种应用均经过最严格的高可靠性测试－从工业以及汽车应用所需的极端温度和性能测试到企业系统的严格规范，我们有满足您设计需要的合适解决方案。