Micron Technology（美光半导体）近日宣布，已开始提供业界首个集成了 LPDDR5-6400 动态随机存储器（DRAM）和 96 层 3D NAND 闪存的多芯片封装（uMCP）样品。

对于需要快速 DRAM 和高性能存储的 5G 中端智能机等产品来说，该公司的 uMCP5 产品可提供上佳的解决方案。

美光的新款 uMCP5 封装采用了公司在多芯片封装方面的创新和前沿技术，集成了低功耗 DRAM、NAND 和板载控制器，其与双芯片解决方案相比，占用空间减少 40%。这种优化的架构可降低功耗，缩小内存芯片尺寸，支持更小、更灵活的智能手机设计。

美光移动产品事业部高级副总裁兼总经理 RajTalluri 博士表示：“这款业内首创的 uMCP5 封装解决方案衔接了新款 LPDRAM 和 UFS，使内存和存储带宽提高 50%，同时带来更低功耗。该款产品使中端 5G 智能手机能够在超低延迟响应时间和低功耗模式下运行，从而可以支持旗舰智能手机所具备的各种功能，如搭载多枚高分辨率摄像头、多人游戏和 AR/VR 应用。”

 美光 uMCP5 采用先进的 1y 纳米 DRAM 制程技术和全球最小尺寸的 512Gb96 层 3DNAND 裸片。297 引脚球栅阵列(BGA)封装支持双通道 LPDDR5，速度高达 6,400Mbps，性能比上一代接口提升了 50%。这款新型封装还为当今市场上的 uMCP5 提供了高存储和内存密度，分别为 256GB 和 12GB。

uMCP5 为美光 LPDDR5DRAM 提供了理想的解决方案。5G 网络将于 2020 年开始在全球进行大规模部署，而美光下一代 LPDDR5 内存可满足其对更高内存性能和更低能耗的需求，同时让 5G 智能手机能以高达 6.4Gbps 的速度处理数据，在解决数据处理瓶颈问题方面会起到至关重要的作用。

除了 5G 移动设备，美光 uMCP 方案对于高端 4G / LTE 智能机的意义也同样重大。目前该公司正在向某些合作伙伴提供样品，预计最终产品将很快与大家见面。