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还在为嵌入式系统的数据吞吐速度和运行稳定性担忧吗？让MT46V64M8BN-6 IT:F来为您解决核心难题！这颗美光出品的512Mb DDR SDRAM芯片，凭借其64M x 8的并行架构和167MHz的高时钟频率，能为您的高速处理器提供充沛、流畅的数据带宽，显著提升系统响应效率。

它更能在-40°C至85°C的极端温度范围内稳定工作，结合2.3V~2.7V的低功耗设计，轻松应对工业控制、通信设备等严苛环境挑战，确保您的设备7x24小时可靠运行。选择它，就是为您的产品选择了一颗经久耐用、性能卓越的“数据心脏”。

• 型号:MT46V64M8BN-6 IT:F
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（10x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:167 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
• MT46V64M8BN-6 IT:F，Micron（美光）产品一站式供应商。