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还在寻找一颗能扛起系统核心代码存储重任的可靠芯片吗？JS28F00AP30EF0就是您的高效答案。这颗1Gb并行NOR闪存，拥有110ns的极速访问时间和40MHz的高时钟频率，能让您的设备启动更快、程序运行更流畅，显著提升系统响应效率。

它采用1.7V~2V低电压设计，有助于降低整体功耗，而其宽达-40°C至85°C的工作温度范围，则确保在工业、汽车等严苛环境中依然稳定可靠。无论是用于存储启动代码、操作系统还是关键应用程序，它都能提供非易失的、持久的数据保护，让您的设计根基无比稳固。

• 型号:JS28F00AP30EF0
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:56-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PAR 56TSOP
• 包装:托盘
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:64M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:40 MHz
• 写周期时间 - 字，页:110ns
• 访问时间:110 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 2V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:56-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:56-TSOP
• JS28F00AP30EF0，Micron（美光）产品一站式供应商。