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还在为嵌入式系统寻找一颗坚实可靠的“记忆基石”吗？M29F800DT55N6E就是您的高效解决方案。这颗8Mb并行NOR Flash芯片，能以55ns的快速访问时间，让您的微处理器瞬间读取关键代码与数据，大幅提升系统启动与运行效率。其宽电压（4.5V-5.5V）与宽温（-40°C至85°C）设计，更能轻松应对工业、通信等严苛环境挑战。

它为您提供了1M x 8或512K x 16的灵活存储组织方式，完美匹配不同位宽的主控需求。采用48-TSOP封装，便于表面贴装，集成度高。无论是用于存储固件、配置参数还是作为执行代码的载体，M29F800DT55N6E都能以美光科技一贯的卓越品质，确保您产品数据的长期稳定与可靠，让设计更省心，性能更出众。

• 型号:M29F800DT55N6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:8Mb
• 存储器组织:1M x 8，512K x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:55ns
• 访问时间:55 ns
• 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP
• M29F800DT55N6E，Micron（美光）产品一站式供应商。