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还在为嵌入式系统的内存性能瓶颈而困扰吗？MT48H4M16LFB4-8:H TR这颗64Mb移动低功耗SDRAM，就是为您打破瓶颈、释放潜力的关键。它能以高达125MHz的速度和仅6ns的极速访问时间，让您的处理器随时高效存取数据，确保应用程序流畅运行，告别卡顿与延迟。

更重要的是，它专为能效而生。1.7V~1.9V的低工作电压，能显著降低系统整体功耗，直接延长便携设备的电池续航时间。其紧凑的54-VFBGA封装，让您轻松实现高密度板级设计，节省宝贵空间。无论是工业控制、消费电子还是通信设备，它都能让您的产品在性能和功耗之间取得完美平衡，竞争力倍增。

• 制造商产品型号：MT48H4M16LFB4-8:H TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - 移动 LPSDR
• 存储容量：64Mb（4M x 16）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：125MHz
• 写周期时间-字，页：15ns
• 访问时间：6ns
• 电压-供电：1.7V ~ 1.9V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：54-VFBGA
• MT48H4M16LFB4-8:H TR，Micron（美光）产品一站式供应商。