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还在寻找一颗能扛重任、值得信赖的核心存储芯片吗？MT29F1G08ABBEAHC-IT:E TR就是您的理想答案。这颗由美光科技打造的1Gb NAND闪存，采用并联接口，能为您的高速嵌入式应用提供稳定可靠的数据存储支持，无论是程序代码、系统参数还是用户数据，都能被安全、快速地存取。

它拥有128M x 8的灵活组织架构，工作电压低至1.7V~1.95V，能有效帮助您优化系统功耗。其坚固的设计支持-40°C到85°C的工业级宽温操作，让您的设备无惧严寒酷暑的挑战。紧凑的63-VFBGA表面贴装封装，更能让您轻松实现高密度的电路板设计，简化生产流程，加速产品上市。

• 制造商产品型号：MT29F1G08ABBEAHC-IT:E TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：1Gb（128M x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：63-VFBGA
• MT29F1G08ABBEAHC-IT:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。