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您正在为下一代智能设备寻找一颗强劲且节能的“数据心脏”吗？MT46H128M32L2KQ-6 IT:B TR正是这样一款专为高性能、低功耗场景而生的移动LPDDR SDRAM。它能为您提供高达4Gb（128M x 32）的海量存储空间，并以166MHz的时钟频率和并联接口，确保数据吞吐高效流畅，轻松应对复杂的多任务处理与实时运算需求。

这颗芯片的精妙之处在于其卓越的能效控制。1.7V~1.95V的低工作电压范围，显著降低了系统整体功耗，特别适合电池供电的便携设备。同时，其宽广的-40°C至85°C工作温度范围，赋予了产品出色的环境适应性，无论是严寒还是酷暑，都能保证稳定可靠的运行，让您的设计无惧挑战，从容应对各种应用场景。

• 型号:MT46H128M32L2KQ-6 IT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-WFBGA（12x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:128M x 32
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:166 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:5 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-WFBGA
• 供应商器件封装:168-WFBGA（12x12）
• MT46H128M32L2KQ-6 IT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。