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您正在设计需要高速数据缓冲和处理的设备吗？MT49H32M18CSJ-25E IT:B TR正是为您而来的解决方案。这颗576Mb容量的并行DRAM，能以高达400MHz的速度运行，并实现仅15ns的快速数据访问，让您的系统核心能够毫无等待地存取海量信息，极大提升整体运行效率。

它采用1.8V左右低电压工作，兼顾性能与功耗平衡。宽温域（-40°C ~ 85°C）特性确保其在各种严苛环境下稳定可靠。无论是工业控制、通信基础设施还是需要高性能存储支持的应用，这颗芯片都能轻松融入您的设计，提供坚实、高效的存储基石，让您的产品性能表现更加出众。

• 型号:MT49H32M18CSJ-25E IT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
• MT49H32M18CSJ-25E IT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。