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还在为系统数据处理的延迟而烦恼吗？MT44K16M36RB-093E:B TR就是您期待的解决方案。这颗576Mb并行DRAM芯片，能以高达1067MHz的速度运行，配合仅8ns的极速访问时间，让您轻松应对海量数据的实时读写需求，显著提升整体系统响应效率。

它采用1.28V~1.42V的低电压设计，在提供强劲性能的同时实现高效节能。无论是复杂的网络设备、高速的工业控制器还是专业的媒体处理平台，它都能凭借其稳定的并联接口和宽温工作特性，成为您系统中可靠的数据引擎，助您构建更流畅、更强大的终端产品。

• 型号:MT44K16M36RB-093E:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-BGA（13.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PAR 168BGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:16M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.066 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:8 ns
• 电压 - 供电:1.28V ~ 1.42V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-TBGA
• 供应商器件封装:168-BGA（13.5x13.5）
• MT44K16M36RB-093E:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。