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还在寻找一颗能扛起数据重担、确保系统流畅运行的DDR2内存芯片吗？MT47H64M8CB-25:B就是您的理想答案。这颗512Mb容量的并行DRAM，以400MHz的高速时钟和仅400ps的快速访问时间，让您的设备能够轻松应对实时数据交换与高速处理任务，瞬间提升系统响应能力。

它采用1.7V~1.9V的低电压设计，在提供强劲性能的同时，有效帮助您控制整体功耗，实现高效能运行。无论是用于工业控制、网络通信还是嵌入式显示系统，其表面贴装的60-FBGA封装和0°C至85°C的宽工作温度范围，都确保了在各种环境下稳定可靠的持久表现，让您的产品设计更省心，运行更安心。

• 型号:MT47H64M8CB-25:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-FBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA
• MT47H64M8CB-25:B，Micron（美光）产品一站式供应商。