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还在为嵌入式系统寻找一颗“大心脏”来存储关键代码与数据吗？MT29F2G08ABAEAH4-AITX:E TR正是您需要的答案。这颗由美光科技出品的2Gb NAND闪存芯片，能为您提供高达256M x 8位的海量非易失存储空间，让您的设备轻松容纳复杂的操作系统、丰富的用户数据或持续产生的日志信息。

它采用高效的并行接口，确保数据存取流畅迅速。更令人放心的是，其宽电压供电（2.7V~3.6V）和宽广的工作温度范围（-40°C ~ 85°C），让您的产品能够从容应对电力波动与严苛的环境挑战，无论是工业控制还是车载应用，都能保持稳定可靠的运行。紧凑的63-VFBGA表面贴装封装，还能帮助您高效利用宝贵的板卡空间。

• 型号:MT29F2G08ABAEAH4-AITX:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:已验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F2G08ABAEAH4-AITX:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。