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还在为设备运行卡顿、功耗过高而烦恼吗？让EDB1316BDBH-1DIT-F-R TR为您带来颠覆性的体验！这颗1Gb容量的移动LPDDR2 DRAM，凭借高达533MHz的时钟频率，能为您的高速应用提供源源不断的数据流，确保多任务处理如行云流水般顺畅。

它更懂您的能效需求。宽广的工作电压范围（1.14V~1.95V）结合先进的低功耗设计，让您的设备在释放强劲性能的同时，大幅延长电池续航。其坚固的134-VFBGA封装和宽温（-40°C~85°C）特性，更能轻松应对各种严苛环境，从消费电子到工业领域，为您提供稳定可靠的内存解决方案，助您轻松打造更具竞争力的产品。

• 制造商产品型号：EDB1316BDBH-1DIT-F-R TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - 移动 LPDDR2
• 存储容量：1Gb（64M x 16）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：533MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.14V ~ 1.95V
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：134-VFBGA
• EDB1316BDBH-1DIT-F-R TR，Micron（美光）产品一站式供应商。