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还在寻找一颗能瞬间唤醒您设备、承载关键代码的“大脑”级存储芯片吗？M58WR064EB70ZB6正是您需要的答案。这颗由美光科技打造的64Mb并行NOR闪存，能以高达66MHz的速度运行，确保您的主控芯片指令得到闪电般的响应，让系统启动和程序执行无比流畅。

它为您提供稳定可靠的非易失存储空间（4M x 16位），宽电压（1.65V~2.2V）与宽温（-40°C~85°C）支持让它无惧严苛环境。无论是存储核心固件、关键参数还是实时数据，它都能确保安全无误。其紧凑的56-VFBGA封装，更能让您轻松实现高密度板级设计，极大提升产品集成度与可靠性。

• 型号:M58WR064EB70ZB6
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:56-VFBGA（7.7x9）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 56VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:64Mbit
• 存储器组织:4M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:66 MHz
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:1.65V ~ 2.2V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:56-VFBGA
• 供应商器件封装:56-VFBGA（7.7x9）
• M58WR064EB70ZB6，Micron（美光）产品一站式供应商。