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还在为系统数据吞吐瓶颈而烦恼吗？让MT46H256M32L4JV-5 WT:B TR为您带来颠覆性的改变！这颗美光出品的8Gb移动LPDDR SDRAM芯片，拥有256M x 32的宽位并行接口和高达200MHz的运行速度，能瞬间提升您设备的数据处理能力，让海量数据读写变得轻松而高效。

它专为追求高性能与低功耗平衡的嵌入式及移动应用设计。1.7V~1.95V的低工作电压帮助您有效控制系统能耗，而5ns的极速访问时间则确保了指令的即时响应。无论是驱动复杂的图形界面、缓冲高速通信数据，还是支撑实时控制算法，它都能提供稳定可靠的内存带宽，让您的产品运行更流畅，响应更敏捷。

• 型号:MT46H256M32L4JV-5 WT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-VFBGA（12x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 168VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:256M x 32
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:5 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-VFBGA
• 供应商器件封装:168-VFBGA（12x12）
• MT46H256M32L4JV-5 WT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。