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MT29F64G08CECDBJ4-10:D TR 零件图片(仅供参考)

MT29F64G08CECDBJ4-10:D TR
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MT29F64G08CECDBJ4-10:D TR 规格参数

还在寻找一颗能同时满足大容量、高速度与工业级可靠性的存储核心吗?MT29F64G08CECDBJ4-10:D TR就是您的理想答案。这颗美光科技的64Gb并行NAND闪存,能以100MHz的时钟频率为您疾速处理数据,让您的设备在存取海量信息时毫无迟滞之感。

它能在2.7V~3.6V的宽电压下稳定运行,并适应0°C至70°C的工作环境,确保在各种严苛条件下数据依然安全可靠。采用132-VBGA封装,非常适合高密度的表面贴装设计,让您轻松集成到工控设备、网络硬件或嵌入式系统中,极大提升产品的整体性能与竞争力。

  • 制造商产品型号:MT29F64G08CECDBJ4-10:D TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 64GBIT PARALLEL 132VBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:64Gb(8G x 8)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:100MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:132-VBGA
  • MT29F64G08CECDBJ4-10:D TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29F64G08CECDBJ4-10:D TR 基本参数:

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