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MT53D1024M64D8NW-062 WT ES:D TR 零件图片(仅供参考)

MT53D1024M64D8NW-062 WT ES:D TR
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MT53D1024M64D8NW-062 WT ES:D TR 规格参数

还在为设备的内存性能与功耗难以兼得而烦恼吗?MT53D1024M64D8NW-062 WT ES:D TR正是您期待的答案。这颗美光出品的64Gb Mobile LPDDR4芯片,能以高达1600MHz的速度疾速响应,同时凭借1.1V低电压设计,显著降低系统整体功耗,让您的移动设备或嵌入式系统在持久续航与强劲性能间取得完美平衡。

它能让您轻松驾驭4K视频处理、大型游戏加载和实时AI运算等高带宽需求场景,确保用户体验流畅无卡顿。其工业级宽温范围和紧凑的432-VFBGA封装,更让您的产品设计游刃有余,轻松应对各种空间与环境挑战,是打造下一代高性能智能设备的理想内存选择。

  • 制造商产品型号:MT53D1024M64D8NW-062 WT ES:D TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 64GBIT 1600MHZ 432VFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:64Gb(1G x 64)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1600MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:432-VFBGA
  • MT53D1024M64D8NW-062 WT ES:D TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT53D1024M64D8NW-062 WT ES:D TR 基本参数:

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