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您正在寻找一颗能扛得住极端环境、读写迅速且稳定可靠的代码存储核心吗？M29W800FB70ZA3SF TR正是您理想的答案。这颗由美光科技打造的8Mb并行NOR闪存，拥有70ns的高速访问时间，能让您的系统快速启动、高效运行；其宽广的-40°C至125°C工作温度范围和2.7V~3.6V的宽电压支持，确保它在工业、汽车等严苛场景下依然表现稳健。

它为您提供1M x 8或512K x 16的灵活存储组织方式，是存储引导程序、应用程序代码或关键参数的可靠选择。采用48-TFBGA小型化封装，帮助您轻松优化电路板空间。选择它，就是为您的产品选择了一份历经市场验证的可靠性与高性能保障。

• 型号:M29W800FB70ZA3SF TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TFBGA（6x8）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:8Mb
• 存储器组织:1M x 8，512K x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFBGA
• 供应商器件封装:48-TFBGA（6x8）
• M29W800FB70ZA3SF TR，Micron（美光）产品一站式供应商。