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还在为嵌入式系统寻找那颗‘又快又省’的核心内存吗？MT45W1MW16BDGB-708 WT TR就是您的理想答案。这颗由美光科技出品的16Mb并行PSRAM，能以高达70ns的迅捷速度处理您的数据，同时仅需1.7V至1.95V的超低电压供电，完美实现了高性能与低功耗的兼得，让您的设备反应更灵敏，续航更持久。

它采用先进的伪SRAM（PSRAM）技术，为您提供了类似SRAM的高速访问体验，却无需复杂的刷新电路，简化了您的设计。无论是处理复杂的用户界面、缓冲实时传感器数据，还是作为系统运行的关键缓存，它都能稳定高效地完成任务。其紧凑的54-VFBGA封装，更让您轻松实现高密度板级设计，助力产品小型化。选择它，就是为您的项目选择了一份可靠的性能保障。

• 型号:MT45W1MW16BDGB-708 WT TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:54-VFBGA（6x8）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 54VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:PSRAM
• 技术:PSRAM（伪 SRAM）
• 存储容量:16Mb
• 存储器组织:1M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:54-VFBGA
• 供应商器件封装:54-VFBGA（6x8）
• MT45W1MW16BDGB-708 WT TR，Micron（美光）产品一站式供应商。