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串行PCM | Micron 相变内存
Micron美光半导体 串行PCM特点：
优化服务器性能
降低数据不准确性
避免死机
提高整体可靠性

Micron 相变内存

传统内存架构的局限性是否阻碍了您做出突破性的设计？新的、革命性的相变内存（PCM）汇集了NOR、NAND和RAM的特点，在单一的、非易失性内存芯片上提供了空前的性能。

Micron 串行PCM英文概述：
Supports growing high density embedded serial market
High performance to match leading-edge serial NOR
Standard SPI package
Improves system performance by eliminating the need for erase operations
Reduces system and software management
Ideal for write-intensive applications
Supports full 3.3V voltage range
Supports industrial or commercial temperature for a wide variety of embedded applications
扩展了解：串行NOR闪存 | 串行PCM | 并行PCM | SDRAM | DDR SDRAM | DDR2 SDRAM |
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Micron（美光）官网发布的行业动态（2025年5月3日更新）
  • 美光半导体宣布量产业内容量最高的首款单片 12Gb 低功耗双倍数据速率 4x（LPDDR4x）DRAM
  • Micron 20纳米NAND闪存提高Skyera容量
  • 2013年最佳创新闪存技术类最佳会展奖被MICRON摘得
  • 防止技术外泄,美光科技解散上海研发中心DRAM设计部门
  • Micron美光科技宣布推出全球首款基于 176 层垂直集成 NAND 技术的数据中心固态硬盘 (SSD)
    • Micron代理商|国内Micron代理商|Micron-美光公司内存芯片

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