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还在为系统数据吞吐速度而烦恼吗？MT47H32M16HR-25E:G TR就是您的高效答案。这颗512Mb DDR2 SDRAM芯片，凭借400MHz的时钟频率和并联接口，能为您的高速应用提供充足的数据带宽，让实时数据处理和复杂运算变得轻松流畅。

它采用1.8V左右低电压供电和84-TFBGA紧凑封装，在节省空间的同时优化能效。其出色的400ps访问时间，能显著减少等待延迟，提升系统整体响应速度。无论是用于升级现有平台还是开发对稳定性有严苛要求的设备，它都能让您的设计性能表现更加可靠出众。

• 型号:MT47H32M16HR-25E:G TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:84-FBGA（8x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:84-TFBGA
• 供应商器件封装:84-FBGA（8x12.5）
• MT47H32M16HR-25E:G TR，Micron（美光）产品一站式供应商。