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Micron代理商 >> Micron（美光） DRAM >> RLDRAM内存
RLDRAM内存 | Micron DRAM
Micron美光半导体 RLDRAM内存特点：
高性能
超低的总线周转时间支持更高的可持续带宽
数据包缓冲和检查的理想选择
扩展的运行温度范围

DRAM概述：

使用我们高品质的DRAM来加快您的产品投向市场的步伐－我们的DRAM针对各种应用均经过最严格的高可靠性测试－从工业以及汽车应用所需的极端温度和性能测试到企业系统的严格规范，我们有满足您设计需要的合适解决方案。

Micron RLDRAM内存英文概述：
Available in three densities, providing flexibility for many designs
Available in wide bus widths with minimal part counts in wide-bus configured systems; common or separate I/O
HSTL and SSTL I/O compatibility
Increased operating range for optimum functionality in extreme environments
Fast random access
High sustainable performance
Enables clean, high-frequency operation
Adds flexibility to board design
Essential for testing boards with a high number of components
扩展了解：串行NOR闪存 | 串行PCM | 并行PCM | SDRAM | DDR SDRAM | DDR2 SDRAM |
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Micron（美光）官网发布的行业动态（2025年7月16日更新）
  • Micron美光半导体宣布推出全球首款 176 层 3D NAND 闪存
  • MICRON宣布摩托罗拉新智能手机已搭载美光的低功耗 DDR5（LPDDR5）DRAM 芯片
  • 美光科技宣布全球首款量产的低功耗 LPDDR5DRAM 芯片率先搭载小米 10 智能手机
  • MICRON宣布推出业内容量最高的单片式 16Gb 低功耗双倍数据率 4X (LPDDR4X) DRAM
  • 美光宣布推出业界首个集成 LPDDR5-6400 DRAM 和 96 层 3D NAND 闪存的多芯片封装样品
    • Micron代理商|国内Micron代理商|Micron-美光公司内存芯片

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