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还在寻找一颗能扛重任、让您安心的核心存储芯片吗？MT29F1G08ABAEAWP-ITX:E TR就是您的答案。这颗由美光科技打造的1Gb并行NAND闪存，拥有128M x 8的经典结构，为您提供稳定高效的非易失存储方案。其2.7V至3.6V的宽电压供电，配合-40°C到85°C的工业级工作温度，确保您的设备无论处于何种严苛环境，都能实现可靠的数据读写与保存。

它采用成熟的并联接口与表面贴装封装，让您的系统设计更简单，集成更轻松。无论是用于存储系统程序、用户数据还是多媒体内容，它都能大幅提升您产品的数据处理效率和整体可靠性。选择它，就是为您的项目选择了一份经久耐用、性能卓越的存储保障，让您专注于核心功能开发，无后顾之忧。

• 型号:MT29F1G08ABAEAWP-ITX:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP I
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP I
• MT29F1G08ABAEAWP-ITX:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。