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您正在寻找一颗能同时驾驭高性能与低功耗挑战的内存芯片吗？MT53E384M32D2DS-046 WT:E正是您的理想答案。这颗来自美光科技的12Gb Mobile LPDDR4 DRAM，以高达2.133GHz的运行速度，为您的高速计算设备提供充沛的数据吞吐带宽，让复杂的应用程序运行如飞，彻底告别延迟卡顿。

它采用先进的低功耗设计，工作电压低至0.6V和1.1V，能显著优化系统整体能耗，让您的移动设备续航更持久。同时，其宽广的工作温度范围（-30°C ~ 85°C）确保了在各种环境下都能稳定可靠地运行。无论是嵌入到智能终端、汽车电子还是工业设备中，它都能让您的产品以高效、稳健的性能表现赢得市场青睐。

• 型号:MT53E384M32D2DS-046 WT:E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-WFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 12GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:12Gb
• 存储器组织:384M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:2.133 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-WFBGA
• 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
• MT53E384M32D2DS-046 WT:E，Micron（美光）产品一站式供应商。