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还在为系统数据带宽瓶颈而烦恼吗？让MT49H8M36SJ-25E:B为您开启高速数据通道！这颗288Mb（8M x 36）并行DRAM，以高达400MHz的时钟频率和15ns的极速访问时间，轻松应对海量数据的实时读写需求，让您的设备运行如飞，彻底告别等待。

它采用1.7V~1.9V低电压设计，在提供强劲性能的同时，显著降低系统功耗，助您打造更节能、更环保的产品。其坚固的144-TFBGA封装和宽达0°C至95°C的工作温度范围，确保了在各种复杂环境下都能稳定可靠地工作，是工业控制、网络通信、高端消费电子等领域的理想存储伙伴。

• 型号:MT49H8M36SJ-25E:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:8M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
• MT49H8M36SJ-25E:B，Micron（美光）产品一站式供应商。