我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT29F64G08CECCBH1-12Z:C TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能扛起海量数据存储重任的核心芯片吗？MT29F64G08CECCBH1-12Z:C TR就是您的高效答案。这颗来自美光科技的64Gb并行NAND闪存，能为您提供高达8G x 8的庞大非易失存储空间，让您轻松容纳复杂的程序代码、大量的媒体文件或持续增长的日志数据。

它通过高效的并联接口与83MHz的时钟频率工作，确保数据存取快速流畅，显著提升您设备的整体响应速度。其宽电压范围（2.7V~3.6V）与工业级温度适应性，更能让您的产品在各种供电环境和0°C至70°C的工作条件下稳定运行，省去您对可靠性的后顾之忧。选择它，就是为您的设备装备了一个强大而可靠的数据仓库。

• 型号:MT29F64G08CECCBH1-12Z:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:100-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 64GBIT PARALLEL 100VBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:64Gb
• 存储器组织:8G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:83 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:100-VBGA
• 供应商器件封装:100-VBGA（12x18）
• MT29F64G08CECCBH1-12Z:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。