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M29W640GB70ZA3E 零件图片(仅供参考)

M29W640GB70ZA3E
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M29W640GB70ZA3E 规格参数

您是否在寻找一颗能为关键系统提供坚实“记忆”基础的存储芯片?M29W640GB70ZA3E正是您需要的答案。这颗美光64Mb并行NOR闪存,能以70ns的高速让您的系统即时存取代码与数据,其宽广的电压与温度范围(2.7V-3.6V,-40°C至125°C)让您的设备无惧任何严苛环境挑战,真正实现稳定可靠的持续运行。

它采用48-TFBGA紧凑封装,节省您的宝贵板级空间,表面贴装工艺便于高效生产。无论是作为系统的启动代码存储,还是关键参数的非易失保存,它都能出色完成任务,让您的产品设计更稳健,生命周期管理更轻松。

  • 型号:M29W640GB70ZA3E
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:48-TFBGA(6x8)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:FLASH - NOR
  • 存储容量:64Mbit
  • 存储器组织:8M x 8,4M x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间 - 字,页:70ns
  • 访问时间:70 ns
  • 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:48-TFBGA
  • 供应商器件封装:48-TFBGA(6x8)
  • M29W640GB70ZA3E,Micron(美光)产品一站式供应商。
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M29W640GB70ZA3E 基本参数:

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