Micron Technology， Inc.  今日宣布可支持行业最小的 128 Gb 多层单元（MLC）NAND 闪存设备的新一代 16 纳米（nm）制程技术在闪存峰会上荣获 2013 年最佳创新闪存技术类最佳会展奖。 行业通过选拔年度最佳会展奖来表扬创新的产品和解决方案，以及它们在市场上的应用。

　　Micron 128 Gb 多层单元（MLC）NAND 闪存设备专门为消费类固态硬盘、移动存储（U 盘和闪存卡）、平板电脑、超薄设备、移动手机和数据中心云存储而产生。在现有的多层单元设备中提供最高平方毫米位宽、最低廉价格。此一新技术可在单一晶圆上创造几乎 6 TB 的存储量。

　　Micron NAND 解决方案事业副总裁 Glen Hawk 说：“很高兴看到这次对于我们在闪存技术上的最新研发得到肯定。16 纳米(nm) NAND制程让我们在世上最小的 128 Gb 多层单元设备领域的也能取得领导地位。这是既经济又对资本有利的技术，从今年至明年势态持续看好。”

　　峰会得奖产品是通过由行业专家组成的评审团评审提名产品后产生，评审标准如下：

　　-- 应用、技术或产品的独特性

　　-- 以闪存为主要用途的解决方案或创新

　　-- 在一般市场上的技术和商业重要性

　　峰会评奖主席及Network Storage Advisors， Inc.总裁Jay Kramer说：“要从诸多杰出的候选项目中选出最创新的闪存技术，对闪存峰会评奖委员会的评审们而言是项非常具有挑战性的任务。” 并说：“ 行业在半导体技术方面的进步对于提高闪存技术标准具有极大的价值，我们很荣幸能够把会展最佳创新奖颁发给 Micron 支持 128 Gb 多层单元设备的 16 纳米 NAND 技术。”

　　Micron 在 8 月 14 日星期三于展示厅举办的闪存峰会颁奖晚宴上获颁此一殊荣。