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还在为设备运行卡顿、多应用切换迟缓而烦恼吗？MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B TR就是您期待的答案。这颗来自美光科技的16Gb Mobile LPDDR4 DRAM，以高达1600MHz的时钟频率，为您的高速处理器提供源源不断的数据流，轻松应对4K视频、大型游戏和复杂AI任务，瞬间提升设备的响应速度与流畅度。

它采用先进的低功耗设计，工作电压仅1.1V，在释放强劲性能的同时，有效控制能耗，显著延长手机、平板等移动设备的电池续航。其紧凑的200-WFBGA封装，让您的电路板设计更灵活，集成度更高。选择它，就是选择让您的产品在性能与能效之间取得完美平衡，为用户带来无可挑剔的极致体验。

• 型号:MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-WFBGA（11x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 16GBIT 1.6GHZ 200WFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:16Gb
• 存储器组织:512M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:1.6 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-WFBGA
• 供应商器件封装:200-WFBGA（11x14.5）
• MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。