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MT29F2T08EMLCEJ4-R:C 零件图片(仅供参考)

MT29F2T08EMLCEJ4-R:C
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MT29F2T08EMLCEJ4-R:C 规格参数

还在为设备的数据存储速度和容量发愁吗?MT29F2T08EMLCEJ4-R:C就是您期待的答案。这颗由美光科技打造的2Tb大容量NAND闪存芯片,采用先进的并联接口,能为您的高速应用提供澎湃的数据吞吐动力,让海量数据的存取变得前所未有的轻松流畅。

它基于可靠的TLC技术,在2.7V~3.6V的宽电压范围内稳定工作,兼容性极强,能轻松集成到您的各类设计中。无论是需要持续记录数据的工业设备,还是处理复杂任务的网络存储,它都能提供高效、非易失的存储解决方案。选择它,就是为您的产品选择了一个强大、可靠的数据基石。

  • 制造商产品型号:MT29F2T08EMLCEJ4-R:C
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 2TB PARALLEL 132VBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:散装
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:FLASH - NAND(TLC)
  • 存储容量:2Tb(256G x 8)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:132-VBGA
  • MT29F2T08EMLCEJ4-R:C,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29F2T08EMLCEJ4-R:C 基本参数:

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