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还在寻找一颗能瞬间提升系统数据吞吐能力的“心脏”吗？MT46V128M4P-5B:D TR就是您期待的答案。这颗由美光科技打造的512Mb DDR SDRAM芯片，专为应对高带宽需求而设计，其200MHz的高速时钟和仅700ps的超低访问时间，能让您的处理器摆脱等待，全力冲刺，显著提升整体运行效率。

它采用128M x 4的并联接口和2.5V~2.7V低电压工作，不仅提供了灵活的大容量数据通道，更兼顾了能效。无论是处理复杂的实时数据流，还是缓存大量的临时文件，它都能轻松胜任，确保您的应用响应如飞。标准的表面贴装封装让集成变得简单高效。

简而言之，MT46V128M4P-5B:D TR旨在以经过验证的可靠性能和成熟设计，让您的产品在速度与稳定性上赢得关键优势，是您打造高性能嵌入式系统的强大基石。

• 制造商产品型号：MT46V128M4P-5B:D TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR
• 存储容量：512Mb（128M x 4）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：200MHz
• 写周期时间-字，页：15ns
• 访问时间：700ps
• 电压-供电：2.5V ~ 2.7V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：66-TSSOP (szeroko 0，400，10，16mm)
• MT46V128M4P-5B:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。