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您正在寻找一颗能轻松驾驭高速数据流的并行DRAM吗？MT49H16M36BM-25E:B正是您的理想之选。这颗576Mb（16M x 36）容量的芯片，凭借400MHz的高时钟频率和仅15ns的快速访问时间，能为您的高速处理器提供充沛且迅捷的数据带宽，让您的系统在处理视频、网络数据包或执行复杂实时计算时，彻底摆脱内存瓶颈，运行如飞。

它采用1.8V左右的低电压供电，在提供强大性能的同时，有效控制功耗，助力您设计出更节能高效的产品。其表面贴装的144-TFBGA紧凑封装，让您能更灵活地进行PCB布局，优化空间。无论是工业控制、通信设备还是其他要求严苛的嵌入式应用，这颗芯片都能让您轻松构建稳定、可靠的高性能内存子系统。

• 型号:MT49H16M36BM-25E:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:16M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H16M36BM-25E:B，Micron（美光）产品一站式供应商。