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还在为嵌入式系统寻找一颗既强大又可靠的存储核心吗？MT29F4G08ABAFAH4-IT:F TR就是您期待的答案。这颗由美光科技打造的4Gb NAND闪存芯片，采用高效的并行接口，能为您的高速应用提供迅捷的数据吞吐体验，让系统运行如行云流水般顺畅。

它专为严苛环境设计，拥有-40°C至85°C的宽工作温度范围和车规级（AEC-Q100）认证，确保在汽车电子、工业控制等关键场景中数据存储的绝对稳定与安全。其2.7V~3.6V的宽电压支持，让您的电源设计更加灵活高效。选择它，就是为您的产品选择了经得起考验的卓越性能与持久耐力。

• 型号:MT29F4G08ABAFAH4-IT:F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F4G08ABAFAH4-IT:F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。