我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT29F1T08CMCBBJ4-37ES:B TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找能承载您宏大创意的存储核心吗？MT29F1T08CMCBBJ4-37ES:B TR就是您期待的答案。这颗由美光科技打造的1Tb并行NAND闪存，能为您提供海量的数据仓库，让您轻松存储高达128G x 8的庞大数据，无论是复杂的操作系统、丰富的多媒体内容还是持续增长的日志文件，都能从容收纳。

它不仅仅容量惊人，其高达267MHz的运行速度与并联接口相结合，能为您带来高效的数据吞吐体验，显著缩短系统等待时间，让应用程序响应更加迅捷。宽广的2.7V~3.6V工作电压范围和0°C~70°C的工作温度，确保了它在各种环境下都能稳定可靠地运行，大大提升了您最终产品的适应性和耐用性。选择它，就是为您的设备选择了一个强劲、可靠的数据心脏。

• 制造商产品型号：MT29F1T08CMCBBJ4-37ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1TB PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：1Tb（128G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：267MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
• MT29F1T08CMCBBJ4-37ES:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。