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您正在寻找一颗能大幅提升系统响应速度与多任务处理能力的内存芯片吗？MT41K512M8RH-125 M:E TR正是您的理想之选。这颗由美光科技打造的4Gb DDR3L SDRAM，拥有高达800MHz的运行频率和并联接口，能为您的高速处理器提供充沛的数据带宽，让复杂计算与实时数据交换变得行云流水。

它采用先进的低电压设计（1.283V~1.45V），在释放强劲性能的同时，能显著降低系统整体功耗，帮助您轻松设计出更节能、发热更少的产品。其0°C至95°C的宽工作温度范围和可靠的78-TFBGA封装，确保了在各种严苛环境下的长期稳定运行，是工业控制、网络设备、嵌入式系统等关键应用的坚实基石。

• 型号:MT41K512M8RH-125 M:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（9x10.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.75 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（9x10.5）
• MT41K512M8RH-125 M:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。