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还在为嵌入式系统的内存带宽不足而发愁吗？MT46V64M8CV-5B:J就是您的高效解决方案。这颗来自美光科技的512Mb DDR SDRAM芯片，拥有200MHz的时钟频率和高达64M x 8的存储结构，能显著提升您系统的数据吞吐能力，让数据处理更加流畅迅速。

它采用2.5V~2.7V低电压运行和表面贴装设计，不仅节能高效，更能帮助您优化产品整体功耗与空间布局。无论是工业控制、网络通信还是消费电子，它都能作为核心处理器的可靠搭档，轻松应对各种复杂任务，确保您的应用稳定运行，性能表现始终如一。

• 型号:MT46V64M8CV-5B:J
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-VFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x12.5）
• MT46V64M8CV-5B:J，Micron（美光）产品一站式供应商。