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还在为嵌入式系统的存储空间和速度发愁吗？让MT29F2G08ABAEAH4:E TR为您带来焕然一新的体验！这颗由美光科技出品的2Gb并行NAND闪存芯片，就像一个高效、可靠的数据仓库，能轻松容纳您的海量程序代码、用户数据和系统日志。

它采用经典的并行接口和256M x 8的组织结构，让数据存取如行云流水般顺畅，显著提升系统响应速度。其2.7V~3.6V的宽电压支持，让您的电源设计更加灵活简便；而0°C~70°C的工业级温度范围，则确保了在各种环境下都能稳定运行，让您的产品表现始终值得信赖。

• 型号:MT29F2G08ABAEAH4:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F2G08ABAEAH4:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。