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还在为嵌入式系统的数据吞吐瓶颈而烦恼吗？让MT46H128M16LFB7-6 WT:B TR为您带来流畅高效的解决方案。这颗美光2Gb LPDDR SDRAM芯片，能以高达166MHz的速度并行处理数据，5ns的极速访问时间让系统响应快如闪电，彻底告别卡顿等待。

它专为能效敏感型设备优化，1.7V~1.95V的低电压工作范围，能显著降低系统整体功耗，轻松延长电池寿命。无论是面对复杂的多任务处理，还是需要稳定运行于宽温环境，它都能游刃有余，让您的产品设计更可靠、更具竞争力。

• 型号:MT46H128M16LFB7-6 WT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-VFBGA（10x10）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:128M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:166 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:5 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-VFBGA
• 供应商器件封装:60-VFBGA（10x10）
• MT46H128M16LFB7-6 WT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。