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MT53E384M32D2DS-046 AUT:E 零件图片(仅供参考)

MT53E384M32D2DS-046 AUT:E
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MT53E384M32D2DS-046 AUT:E 规格参数

还在为设备的多任务处理卡顿和续航短板而烦恼吗?MT53E384M32D2DS-046 AUT:E正是为您破局而来的利器。这颗12Gb容量的LPDDR4移动DRAM,以高达2.133GHz的运行速度,为您提供疾速的数据读写带宽,让您的应用程序加载更快、运行更丝滑,彻底告别等待。

它采用先进的低功耗设计,工作电压低至0.6V和1.1V,能显著降低系统整体能耗,让您的移动设备或嵌入式系统在保持高性能输出的同时,拥有更长的续航时间。其宽温级(-40°C ~ 125°C)特性确保了在极端环境下的稳定可靠,无论是户外工业设备还是严苛的汽车应用,都能轻松应对。选择它,就是为您的产品选择了高效、可靠且节能的强大内存支持。

  • 型号:MT53E384M32D2DS-046 AUT:E
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:200-WFBGA(10x14.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 12GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:南皇电子 停止提供
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:12Gb
  • 存储器组织:384M x 32
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:2.133 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.1V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TC)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:200-WFBGA
  • 供应商器件封装:200-WFBGA(10x14.5)
  • MT53E384M32D2DS-046 AUT:E,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT53E384M32D2DS-046 AUT:E 基本参数:

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