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MT29F1G08ABBDAHC:D TR 零件图片(仅供参考)

MT29F1G08ABBDAHC:D TR
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MT29F1G08ABBDAHC:D TR 规格参数

还在寻找一颗能扛起数据存储重任的“老将”吗?MT29F1G08ABBDAHC:D TR 正是这样一位经验丰富的伙伴。它是一颗1Gb容量的并行NAND闪存,采用成熟的1.8V供电和并联接口,让您可以轻松将其集成到各类嵌入式系统中,高效存储您的程序代码、配置参数或用户数据。

这颗芯片能为您做什么?它以其非易失的特性,确保设备断电后信息不丢失,是系统可靠启动和稳定运行的基石。紧凑的63-VFBGA封装为您节省宝贵的PCB空间,而0°C至70°C的工作温度范围,则让它能从容应对大多数应用环境。选择它,就是为您的产品选择了一份经过时间验证的稳定与安心。

  • 型号:MT29F1G08ABBDAHC:D TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:63-VFBGA(10.5x13)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:1Gb
  • 存储器组织:128M x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:63-VFBGA
  • 供应商器件封装:63-VFBGA(10.5x13)
  • MT29F1G08ABBDAHC:D TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
只为成为您值得信赖的Micron供应商

MT29F1G08ABBDAHC:D TR 基本参数:

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