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还在寻找能同时满足大容量、高速度与高可靠性的存储解决方案吗？MT29F768G08EEHBBJ4-3RES:B TR就是您的答案。这颗由美光科技打造的768Gb NAND闪存芯片，拥有并联接口和333MHz的高时钟频率，能为您的高速计算设备、数据中心服务器或企业存储系统提供澎湃的数据吞吐动力，让海量数据的存取变得前所未有的轻松与高效。

它不仅仅是一颗存储芯片，更是您系统稳定运行的基石。2.5V~3.6V的宽电压支持和0°C~70°C的工作温度范围，确保了它在各种复杂环境下都能稳定工作。其132-VBGA的紧凑封装，让您能在有限的空间内实现高密度集成，完美优化产品设计。选择它，就是选择让您的产品在性能与可靠性上脱颖而出，轻松应对未来的数据挑战。

• 制造商产品型号：MT29F768G08EEHBBJ4-3RES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 768GBIT PAR 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：768Gb（96G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
• MT29F768G08EEHBBJ4-3RES:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。