我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT47H256M8EB-25E:C现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为嵌入式系统或工业设备寻找一颗性能与稳定兼备的内存心脏吗？MT47H256M8EB-25E:C正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的2Gb DDR2 SDRAM芯片，以其400MHz的高时钟频率和仅400ps的快速访问时间，能显著提升您的系统数据吞吐效率，让实时处理和多任务运行变得无比流畅。

它采用256M x 8的并行架构，提供充裕的带宽，轻松应对复杂的数据读写需求。1.8V的工作电压和宽温设计（0°C至85°C），确保了它在各种应用环境中都能保持低功耗和高度可靠性。无论是网络通信、工业控制还是高端消费电子，选择它，就是为您的产品选择了一个高效、稳定的性能基石。

• 型号:MT47H256M8EB-25E:C
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（9x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（9x11.5）
• MT47H256M8EB-25E:C，Micron（美光）产品一站式供应商。