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它采用先进的低电压技术（1.283V-1.45V），在爆发强劲性能的同时，显著降低系统功耗，帮助您设计出更节能、续航更持久的产品。其宽泛的工业级温度适应范围（-40°C ~ 95°C）和稳定的并行接口，确保您的设备即使在极端恶劣的环境下也能持续稳定运行，为工业控制、汽车电子、网络通信等关键领域提供坚实的存储保障。

• 型号:MT41K256M16HA-125 XIT:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:96-FBGA（9x14）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:256M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.75 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:96-TFBGA
• 供应商器件封装:96-FBGA（9x14）
• MT41K256M16HA-125 XIT:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。