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您正在寻找一颗能赋予设备迅捷响应与稳定记忆的“心脏”吗？MT46H16M16LFBF-5 IT:H TR正是这样一款专为 demanding 应用设计的移动LPDDR SDRAM。它以高达200MHz的时钟频率和仅5ns的访问时间，让您的系统数据读写如行云流水，大幅提升处理效率。

这颗芯片能在-40°C至85°C的极端温度范围内稳定工作，并仅需1.7V~1.95V的低电压供电，完美兼顾了高性能与低功耗的需求。其256Mb（16M x 16）的存储容量与并联接口，为您在工业控制、通信设备等领域的嵌入式设计提供了可靠、高效的数据缓存解决方案，让您的产品在复杂环境中也能表现卓越。

• 型号:MT46H16M16LFBF-5 IT:H TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-VFBGA（8x9）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:16M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:5 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-VFBGA
• 供应商器件封装:60-VFBGA（8x9）
• MT46H16M16LFBF-5 IT:H TR，Micron（美光）产品一站式供应商。