我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT47H512M4THN-25E:M现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您是否正在寻找一颗能够为您的嵌入式系统或工业设备提供稳定、高速数据缓冲的“记忆核心”？MT47H512M4THN-25E:M正是您理想的伙伴。这颗由美光科技打造的2Gb DDR2 SDRAM芯片，拥有高达400MHz的运行频率和仅400ps的快速访问时间，能让您的设备轻松应对实时数据读写挑战，确保应用流畅运行。

它采用高效的并联接口和512M x 4的存储结构，为您的高带宽应用场景，如网络通信、视频处理或控制主板，提供了强大的数据吞吐能力。1.8V的标准工作电压和宽温支持特性，更让您能在追求高性能的同时，兼顾系统的能效与在复杂环境下的可靠性。选择它，就是为您的产品选择了一份经过市场千锤百炼的稳定与高效。

• 制造商产品型号：MT47H512M4THN-25E:M
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR2
• 存储容量：2Gb（512M x 4）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：400MHz
• 写周期时间-字，页：15ns
• 访问时间：400ps
• 电压-供电：1.7V ~ 1.9V
• 工作温度：0°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：63-TFBGA
• MT47H512M4THN-25E:M，Micron（美光）产品一站式供应商。