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还在为嵌入式系统寻找一颗“扛得住”的核心存储芯片吗？M29W128GH7AN6F TR就是您值得信赖的答案。这颗由美光科技打造的128Mb并行NOR闪存，能以70ns的迅捷速度响应您的每一次访问，让系统运行如行云流水。其宽电压（2.7V-3.6V）与宽温（-40°C至85°C）特性，更能轻松应对严苛的工业与汽车环境挑战。

它为您提供灵活的组织结构（16M x 8或8M x 16），无论是存储启动代码、应用程序还是关键参数，都能高效胜任。表面贴装的56-TSOP封装，节省您宝贵的PCB空间。选择它，就是为您的产品选择了一份历经市场验证的可靠与高效，让您的设计在稳定性上快人一步。

• 型号:M29W128GH7AN6F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:56-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56TSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:128Mb
• 存储器组织:16M x 8，8M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:56-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:56-TSOP
• M29W128GH7AN6F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。