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MT29F512G08EBHAFJ4-3T:A 零件图片(仅供参考)

MT29F512G08EBHAFJ4-3T:A
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MT29F512G08EBHAFJ4-3T:A 规格参数

还在寻找能同时满足大容量与高速度的存储核心吗?MT29F512G08EBHAFJ4-3T:A正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的512Gb NAND闪存芯片,采用并联接口与333MHz时钟频率,能为您提供澎湃的数据吞吐带宽,让您轻松驾驭从数据中心到高端消费电子的海量数据读写任务。

它能让您的设备实现更快的系统启动、更迅捷的应用加载以及更流畅的大文件传输体验。无论是构建高性能固态硬盘、加速服务器响应,还是提升智能设备的整体效能,这颗芯片都能作为可靠的存储基石,助您打造出更具市场竞争力的产品。

  • 制造商产品型号:MT29F512G08EBHAFJ4-3T:A
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:托盘
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:512Gb(64G x 8)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:333MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:-
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:132-VBGA
  • MT29F512G08EBHAFJ4-3T:A,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29F512G08EBHAFJ4-3T:A 基本参数:

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