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当您的设计需要一颗坚实、可靠的“数据仓库”时，MT29F1G08ABCHC-ET:C正是您理想的伙伴。这颗由美光科技打造的1Gb并行NAND闪存芯片，能为您提供高达128M x 8位的高效存储空间，让您的设备轻松容纳海量程序代码、系统日志或用户数据。

它采用1.7V至1.95V的低电压工作，并具备-40°C到85°C的宽温适应能力，让您的产品无论是面对严苛的工业环境还是复杂的户外应用，都能保持数据存储的稳定与高效。其并联接口设计确保了快速的数据读写响应，是提升系统整体性能的可靠基石。

• 型号:MT29F1G08ABCHC-ET:C
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（10.5x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（10.5x13）
• MT29F1G08ABCHC-ET:C，Micron（美光）产品一站式供应商。