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您是否正在寻找一颗能够承载海量数据、并确保快速稳定存取的存储核心？MT29F1T08EELCEJ4-R:C TR正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的1Tb大容量并行NAND闪存芯片，采用先进的TLC技术，为您提供高达128GB x 8的存储空间，让您轻松应对从复杂系统文件到持续流式数据写入的各种苛刻需求。

它通过高效的并联接口，实现快速的数据吞吐，显著提升您设备的整体响应速度。其2.7V~3.6V的宽电压范围和0°C~70°C的工作温度，确保了在各种供电和环境条件下的出色可靠性。无论是嵌入到工业设备、网络硬件还是高端消费电子产品中，它都能让您的设计更高效、更稳定，助您轻松构建性能卓越的下一代智能设备。

• 制造商产品型号：MT29F1T08EELCEJ4-R:C TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1TB PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：FLASH - NAND（TLC）
• 存储容量：1Tb（128G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
• MT29F1T08EELCEJ4-R:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。