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还在为嵌入式系统寻找一颗既能扛住极端环境，又能极致省电的“大脑”吗？EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR正是您期待的解决方案。这颗美光出品的1Gb移动LPDDR2 DRAM，能以高达533MHz的速度流畅处理数据，同时其超低的1.14V~1.95V工作电压，让您的设备续航能力大幅提升。

它专为严苛应用而生，支持-40°C到105°C的宽温工作范围，确保您的工业设备、车载系统或户外终端在任何环境下都稳定如山。其紧凑的134-VFBGA封装，更能帮助您轻松实现产品的小型化与轻薄化设计。选择它，就是选择了一份让产品性能与可靠性双双跃升的保障。

• 制造商产品型号：EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - 移动 LPDDR2
• 存储容量：1Gb（64M x 16）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：533MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.14V ~ 1.95V
• 工作温度：-40°C ~ 105°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：134-VFBGA
• EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR，Micron（美光）产品一站式供应商。